品牌/型号:进口 极数:二极 封装材料:塑料封装 封装外形:模块 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:超高频 额定正向平均电流:75(A) 正向重复峰值电压:1(V) 反向阻断峰值电压:1(V) 控制方式:双向 关断速度:高频快速 控制极触发电压:1200(V)V 控制极触发电流:1(mA)A 型号 技术指标 技术指标 CM15TF-12H 15A/600V/6U 15A/1200V/6U CM20TF-12H 20A/600V/6U 20A/1200V/6U CM30TF-12H 30A/600V/6U 30A/1200V/6U CM50TF-12H 50A/600V/6U 50A/1200V/6U CM75TF-12H 75A/600V/6U 75A/1200V/6U CM100TF-12H 100A/600V/6U 100A/1200V/6U CM150TF-12H 150A/600V/6U 50A/1400V/6U CM75TU-12H 75A/600V/6U 50A/1200V/6U CM100TU-12H 100A/600V/6U 75A/1200V/6U CM150TU-12H 150A/600V/6U 100A/1200V/6U CM15TF-12E 15A/600V/6U 15A/1200V/6U CM20TF-12E 20A/600V/6U 20A/1200V/6U CM30TF-12E 30A/600V/6U 30A/1200V/6U CM50TF-12E 50A/600V/6U 50A/1200V/6U CM75TF-12E 75A/600V/6U 75A/1200V/6U CM100TF-12E 100A/600V/6U 100A/1200V/6U CM150TF-12...
IGBT工作特性的动态特性: 动态特性 IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降过程后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间, tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时,必须基于以下的参数来进行:器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大,故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 日本三菱 IGBT 600V/6U系列: CM15TF-12H CM20TF-12H CM25TF-12 CM30TF-12H CM50TF-12H CM15TF-12E CM20TF-12E CM75TL-12NF CM30TF-12E CM50TF-12E CM75TF-12H CM75TU-12H CM100TU-12H CM100TF-12H CM100TL-12NF CM75TF-12E CM75TU-12E CM100TU-12E CM100TF-12E CM200TU-12H CM40YE13-12H CM150TF-12H CM150TU-12H CM15...