供应CM75TU-12E三菱模块
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM75TU-12E | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
品牌/型号：进口
极数：二极
封装材料：塑料封装
封装外形：模块
散热功能：带散热片
功率特性：大功率
频率特性：超高频
额定正向平均电流：75（A）
正向重复峰值电压：1（V）
反向阻断峰值电压：1（V）
控制方式：双向
关断速度：高频快速
控制极触发电压：1200（V）V
控制极触发电流：1（mA）A
型号 技术指标 技术指标
CM15TF-12H 15A/600V/6U 15A/1200V/6U
CM20TF-12H 20A/600V/6U 20A/1200V/6U
CM30TF-12H 30A/600V/6U 30A/1200V/6U
CM50TF-12H 50A/600V/6U 50A/1200V/6U
CM75TF-12H 75A/600V/6U 75A/1200V/6U
CM100TF-12H 100A/600V/6U 100A/1200V/6U
CM150TF-12H 150A/600V/6U 50A/1400V/6U
CM75TU-12H 75A/600V/6U 50A/1200V/6U
CM100TU-12H 100A/600V/6U 75A/1200V/6U
CM150TU-12H 150A/600V/6U 100A/1200V/6U
CM15TF-12E 15A/600V/6U 15A/1200V/6U
CM20TF-12E 20A/600V/6U 20A/1200V/6U
CM30TF-12E 30A/600V/6U 30A/1200V/6U
CM50TF-12E 50A/600V/6U 50A/1200V/6U
CM75TF-12E 75A/600V/6U 75A/1200V/6U
CM100TF-12E 100A/600V/6U 100A/1200V/6U
CM150TF-12E 150A/600V/6U 50A/1200V/6U
CM75TU-12E 75A/600V/6U 75A/1200V/6U
CM100TU-12E 100A/600V/6U 100A/1200V/6U
CM150TU-12E 150A/600V/6U 50A/1400V/6U
CM200TU-12H 200A/600V/6U 75A/1400V/6U
CM100TF-28H 100A/1400V/6U 100A/1200V/6U
IGBT工作原理：
IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。
- 所属城市：北京 北京市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 朱青
- 电话：010-59264989/59946198
- 传真：010-59919079
- 手机：13901002894
- QQ ：
供应三菱模块
信息内容：IGBT工作特性的动态特性： 动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。 日本三菱 IGBT 600V/6U系列： CM15TF-12H CM20TF-12H CM25TF-12 CM30TF-12H CM50TF-12H CM15TF-12E CM20TF-12E CM75TL-12NF CM30TF-12E CM50TF-12E CM75TF-12H CM75TU-12H CM100TU-12H CM100TF-12H CM100TL-12NF CM75TF-12E CM75TU-12E CM100TU-12E CM100TF-12E CM200TU-12H CM40YE13-12H CM150TF-12H CM150TU-12H CM15...
供应三菱模块
信息内容：CM50TF-12H 参数 标准包装1 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿（） Vge, Ic时的Vce（开）2.8V @ 15V, 50A 电流 - 集电极 (Ic)（）50A 电流 - 集电极截止（）1mA Vce 时的输入电容 (Cies)5nF @ 10V 功率 - 250W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 用途：主要用于航天航空，机场设施，电机调速，矿山焊机，船舶舰艇，变频设备等高科技领域。 公司简介：北京京丰实创科技有限公司代理德国，欧洲、美国、日本等经销品牌功率器件模块:英飞凌，eupec，西门康,三菱,富士,西门子,东芝,三社,三垦，IXYS,IR,等功率模块IGBT ,GTR,IPM,PIM,ABB,可控硅,整流桥,晶闸管，二极管,场效应及电解电容,富士快熔，罗兰快熔和美国VICOR电源模块. 欢迎经销商、厂商来电咨询!
