价 格: | 1.00 | |
品牌/商标: | NCE | |
型号/规格: | NCE0160S | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2-4(V) | |
夹断电压: | 大于100(V) | |
极间电容: | 2850(pF) |
产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。
高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。
高Eas能力。(100%UIS测试)
电参数高度一致性和重复性。
特殊制程,高防静电电能力(ESD)
产品应用:主要用于 开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器,
工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源,
定制电源,电焊机,机电设备等。
Vds=100V;Id=60A ; Rds(ON)<16Ω @Vgs=10V (Typ:12.6mΩ)
注:@在…的条件下 封装:PowerPAK SO-8
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产品特征:大功率和大电流处理能力 极低的导通电阻 极低的栅电荷 良好的抗雪崩冲击能力产品应用:锂电池保护 转换开关 电源管理 Vds=20V;Id=4A; Rds (ON)<27mΩ @Vgs=4.5V (Typ:22mΩ) 注:@在…的条件下 封装:SOT-23dzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpgdzsc/19/0764/19076461.jpg"
产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。 高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。 高Eas能力。(100%UIS测试) 电参数高度一致性和重复性。 特殊制程,高防静电电能力(ESD) 产品应用:主要用于开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器, 工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源, 定制电源,电焊机,机电设备等。 Vds=100V;Id=100A; Rds(ON)<13mΩ @Vgs=10V (Typ:9.9mΩ) 注:@在…的条件下 封装:TO-220 dzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpg