价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | NCE 新洁能 | |
型号/规格: | NCE8205 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
夹断电压: | 20 | |
开启电压: | 0.5-1.2 | |
极间电容: | 800 |
产品特征:大功率和大电流处理能力
极低的导通电阻
极低的栅电荷
良好的抗雪崩冲击能力
产品应用:锂电池保护
转换开关
电源管理
Vds=20V;Id=4A; Rds (ON)<27mΩ @Vgs=4.5V (Typ:22mΩ)
注:@在…的条件下 封装:SOT-23
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产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。 高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。 高Eas能力。(100%UIS测试) 电参数高度一致性和重复性。 特殊制程,高防静电电能力(ESD) 产品应用:主要用于开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器, 工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源, 定制电源,电焊机,机电设备等。 Vds=100V;Id=100A; Rds(ON)<13mΩ @Vgs=10V (Typ:9.9mΩ) 注:@在…的条件下 封装:TO-220 dzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpgdzsc/19/0945/19094552.jpg
产品特征:低导通电阻,低栅极电荷。 高散热能力,高结温下,大电流持续导通能力。 高Eas能力。(100%UIS测试) 电参数高度一致性和重复性。 特殊制程,高防静电电能力(ESD) 产品应用:主要用于开关电源,电动车控制器,UPS电源,充电器, 工控电源,太阳能电源,机箱电源,逆变器,电力电源,照明电源, 定制电源。电焊机,机电设备等。 Vds=100V,Id=290A RDS(ON)<3.5mΩ@Vgs=10V(Typ:2.7mΩ) 注:@在...条件下 封装:TO-247 dzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpgdzsc/19/1355/19135508.jpg