SEMIWILL高品质-IRF740-MOS管-场效应管-MOSFET
| 价 格： | 1.90 | |
| 型号/规格： | IRF740 | |
| 品牌/商标： | SEMIWILL | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 管装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
IRF740-MOS管-场效应管-MOSFET
概述
产品特性：
热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
主要参数：
漏-源电压VDS≥500V 漏极电流ID=5.5A 导通电阻RDS≤0.55ohm
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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半导体放电管-固体放电管
信息内容：半导体放电管-固体放电管 概述： 固体放电管（半导体放电管）是基于可控硅的原理和结构的一种二端负阻器件，用于保护敏感易损的集成电路，使之免遭雷电和突波的冲击而造成的损坏。它采用了先进的离子注入技术，具有精确导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、可靠性高等特点;广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、电话机、传真机、配线架、XDSL、通讯接口、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域，以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天，固态放电管已成为世界通讯设备的器件。 产品特性： 采用了先进的离子注入技术，具有精确导通、快速响应、浪涌吸收组能力强、可靠性高 产品系列： SMA封装/3000V/50A系列 型号：P0080TA P0300TA P1100TA P1300TA P1800TA P2300TA P2600TA P3100TA P3500TA P4200TA 封装形式：SMA/DO-214AC 浪涌吸收能力：10/700Us-3KV 10/1000uS-50A 包装方式：盘装 5000只/盘 SMB封装/3000V/50A系列 型号：P0080SA P0300SA P1100SA P1300SA P1800SA P2300SA P2600SA P3100SA P3500SA P4200SA 封装形式：SMB/DO-214AA 浪涌吸收能力：10/700Us-3KV 10/1000uS-50A 包装...
功率MOS管-MOSFET-场效应管
信息内容：功率MOS管-MOSFET-场效应管 概述： 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 产品特性： 热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范 产品系列： 1N60系列MOS管 关键参数：漏-源电压BVDSS≥600V 漏极电流ID≥1.0A 导通电阻RDS≤16.5ohm 封装形式:TO-92 应用领域：电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等 1N80系列MOS管 关键参数：漏-源电压BVDSS≥800V 漏极电流ID≥1.0A 导通电阻RDS≤16.5ohm 封装形式:TO-92 应用领域：电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等 2N60系列MOS管 关键参数：漏-源电压BVDSS≥600V 漏极电流ID≥2.0A 导通电阻RDS≤5.0ohm 封装形式:TO-92/TO-251/TO-126 应用领域：电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等 2N65系列MOS管 关键参数：漏-源电压BVDSS≥650V ...
