价 格: | 面议 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | GP50B60PD1 IRGP50B60PD1 | |
材料: | SB肖特基势垒栅 | |
用途: | MW/微波 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
IR进口原装场效应管 GP50B60PD1 IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1PBF墨西哥产地
IR进口原装场效应管 GP50B60PD1 IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1PBF墨西哥产地
GP50B60PD1 IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1PBF产品规格 参数
数据列表 IRGP50B60PD1PbF
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor TO-247AC
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿() 600V
Vge, Ic时的Vce(开) 2.85V @ 15V, 50A
电流 - 集电极 (Ic)() 75A
功率 - 390W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRGP50B60PD1PBF
TOSHIBA东芝进口原装MOS场效应管 2SK3561 K3561 TOSHIBA东芝进口原装MOS场效应管 2SK3561 K3561 2SK3561 K3561产品规格 参数 数据列表 2SK3561Mosfets Prod Guide 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 850 毫欧 @ 4A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1050pF @ 25V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220SIS 包装 管件 "
IR场效应管产品图片dzsc/19/0663/19066385.jpgdzsc/19/0663/19066385.jpgdzsc/19/0663/19066385.jpgdzsc/19/0663/19066385.jpgIR场效应管 IRFB3507 IRFB3507PBF 电动车控制器应用 IR场效应管 IRF120.IRF130.IRF140.IRF150.IRF220.IRF230.IRF231.IRF240. IRF250.IRF251.IRF2807.IRF320.IRF330.IRF360.IRF3710.IRF420. IRF440.IRF450.IRF451.IRF460.IRF511.IRF520.IRF530.IRF540. IRF541.IRF610.IRF620.IRF630.IRF640.IRF710.IRF720.IRF722. IRF730.IRF731.IRF740.IRF820.IRF830.IRF840.IRF9130.IRF9150. IRF9510.IRF9530.IRF9630.IRF9640.IRBC30.IRBC40.IRFI540A. IRFI640.IRFI640A.IRFI710A.IRFI730A.IRFI740A.IRFI820A. IRFI830A.IRFI840A.IRFI9520G.IRFI9530G.IRFI9540G...IR场效应管 IRFB3507 IRFB3507PBF 电动车控制器应用IR系列二三极管,场效应管供应质量全新原装,环保无铅.散新拆机包测,质量问题包退换!产品规格Datasheets IRFB3507, IRFS(L)3507 Product Photos TO-220AB PKG Catalog Drawings IR Hexfet TO-220AB Standard Package 50Category Discrete Semiconductor Products Family FETs - Single Series HEXFET®FET Type MOSFET N-Ch...