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TOSHIBA东芝进口原装MOS场效应管 2SK3561 K3561 现货

价 格: 面议
品牌:TOSHIBA/东芝
型号:2SK3561 K3561
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:ALGaAS铝镓砷
开启电压:22(V)
夹断电压:22(V)
跨导:22(μS)
极间电容:22(pF)
低频噪声系数:22(dB)
漏极电流:22(mA)
耗散功率:22(mW)

TOSHIBA东芝进口原装MOS场效应管 2SK3561  K3561

 

TOSHIBA东芝进口原装MOS场效应管 2SK3561  K3561

 

2SK3561  K3561产品规格 参数

 

数据列表 2SK3561
Mosfets Prod Guide
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏极至源极电压(Vdss) 500V
 
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8A
 
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 850 毫欧 @ 4A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1050pF @ 25V
 
功率 - 40W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220SIS
 
包装 管件
 

 

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结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈义伟
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