场效应管 2SK4119LS K4119 2SK4119
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | SANYO/三洋 | |
| 型号/规格： | 2SK4119LS-S,TO-220F,SANYO,DIP/MOS,N场,400V,21A,0.26Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 5（V） | |
| 夹断电压： | ±30（V） | |
| 极间电容： | 1200（pF） | |
| 漏极电流： | 21A（mA） | |
| 耗散功率： | 40W（mW） |
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300V场效应管（MOSFET）：
IRF737LCS,SOT-263,IR,SMD/MOS,300V,6.1A,N场,0.75Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话
FQA38N30 FAIRCHILD TO-3P N场
AP88N30W,300V,88A,AP/富鼎,TO-3P,0.048Ω
STF7NK30Z,TO-220F,ST,08NPB,DIP/MOS,300V,5A,0.9Ω
400V场效应管（N场,贴片）：
IRF730STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,400V,5.5A,N场,1Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话
IRF730AS,SOT-263,IR,SMD/MOS,400V,5.5A,N场,1Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话
FQD5N40TM FAIRCHILD SOT-252
IRFR310 IR SOT-252
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IRFW740ATM SAM/三星 SOT-263
STB11NB40T4 ST SOT-263
400V场效应管（N场,直插）：
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2SK4119LS-S,TO-220F,SANYO,DIP/MOS,N场,400V,21A,0.26Ω
STK1040F,TO-220F,AUK,08NPB,DIP/MOS,400V,10A,0.53Ω
FQP17N40 FAIRCHILD TO-220
IRF720 FAIRCHILD TO-220
IRF730B FAIRCHILD TO-220
IRF740B FAIRCHILD TO-220
STP11NB40 ST TO-220
STP11NK40Z ST TO-220
STP7NA40 ST TO-220
IRFI730G IR TO-220F
IRFS730A FAIRCHILD TO-220F
IRFS730BTU FAIRCHILD TO-220F
IRFS740 FAIRCHILD TO-220F
STP11NB40ZFP ST TO-220F
2SK2952 TOSHIBA TO-220F定型脚
IRFS740 FAIRCHILD TO-220F短
IRFU320B FAIRCHILD TO-251
STD2NB40-1 ST TO-251
IRF740S IR TO-262短
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400V,P沟道场效应管（MOSFET）:
IRFR9310 IR SOT-252 P场
SFR9310 FAIRCHILD SOT-252 P场
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场效应管 BSC020N03LSG,020N03LS
信息内容：BSC020N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,100A,0.0029ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.产品型号:BSC020N03LSG源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):100源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0029Ω开启电压VGS(TH)(V):2.2功率PD(W):96极间电容Ciss(PF):7200通道极性:N沟道封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150描述: 30V,100A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
代理 快恢复 KIA15TB60 HFA15TB60 15TB60
信息内容：深圳市金城微零件有限公司主要经营场效应管(MOS管),广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具、功率开关、LED、车载、玩具、电动车、电脑主板、安定器.公司代理KIA系列MOS管:KIA5N60EF T0-220F KIA DIP/MOS N场 600V 5A 2.2ΩKIA10TB60 T0-220-2 KIA DIP/快恢复 单芯片 600V 10A KIA08TB60D T0-220-2 KIA DIP/快恢复 单芯片 600V 8A KIA12N60HF T0-220F KIA DIP/MOS N场 600V 12A 0.65ΩKIA1N60H TO-251 KIA DIP/MOS N场 600V 1A 2.2ΩKIA2N60PF TO-220F 10NPB KIA DIP/MOS N场 600V 2A 5ΩKIA3205N TO-220 10NPB KIA DIP/MOS N场 55V 110A 0.008ΩKIA4N60PF TO-220F 10NPB KIA DIP/MOS N场 600V 4A 2.4ΩKIA50N06 TO-220 10NPB KIA DIP/MOS N场 60V 50A 0.23ΩKIA50N06A TO-220 10NPB KIA DIP/MOS N场 60V 50A 0.019ΩKIA65N06 TO-220 10NPB KIA DIP/MOS N场 60V 65A 0.016ΩKIA7N60HF TO-220F 10NPB KIA DIP/MOS N场 600V 7.4A 1ΩKIA830H SOT-252 10NPB KIA DIP/MOS N场 500V 5A 1.5ΩKIA5N60E 10NPB KIA TO-220 DIP/MOS N场 600V 4.5A 2.5ΩKIA1N60 TO-92 KIA DIP/MOS N场 600V 0.35A 15&Ome...
