价 格: | 0.98 | |
品牌/商标: | NXP/恩智浦 | |
型号/规格: | BT138-600E | |
控制方式: | 双向 | |
极数: | 二极 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
封装外形: | 平板形 | |
关断速度: | 高频(快速) | |
散热功能: | 带散热片 | |
频率特性: | 高频 | |
功率特性: | 中功率 | |
额定正向平均电流: | 详见规格书(A) | |
控制极触发电流: | 详见规格书(mA) | |
稳定工作电流: | 详见规格书(A) | |
反向重复峰值电压: | 详见规格书(V) |
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产品型号: | BT138-800E | 产品名称: | ||||
品牌/产地: | NXP | 封装规格: | ||||
产品描述: | Triacs sensitive gate | |||||
是否含铅: | 未知 | |||||
PDF分类: | IC器件 > 开关及驱动器件 > 其它器件 | |||||
产品参数信息: |
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数据手册: |
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昆山现货IR原装进口IRFB4310PBF-HEXFET®Power MOSFET产品型号:IRFB4310PBF产品名称: 品牌/产地:IR公司 封装规格:TO-220AB 产品描述: 是否含铅:未知PDF分类:非IC器件>分立器件>晶体管产品参数信息: 参数名 参数值 Circuit Discrete Polarity N VBRDSS (V) 100 RDS(on) Max 2.7V (mOhms) RDS(on) Max 4.5V (mOhms) RDS(on) Max 10V (mOhms) 6 ID @ TC = 25C (A) 127 ID @ TC = 100C (A) 90 ID @ TA = 25C (A) ID @ TA = 70C (A) Qg Typ (nC) 120 Qgd Typ (nC) 35 Rth(JC) (K/W) .6 Power Dissipation @ TC = 25C ( 250 Power Dissipation @ TA = 25C ( Part Status Active & Preferred PbF PbF Option Available 1K Budgetary Pricing (USD) 数据手册:文件名:NULL文件大小:0.00 KB下载次数:6下载:
产品型号:SS16 产品名称: 品牌/产地: 封装规格:DO-214AC 产品描述: 是否含铅:未知PDF分类:非IC器件 > 分立器件 > 二极管产品参数信息: 参数名 参数值 IO (A) 1 VRRM(V) 60 IFSM(A) 40 VF(V) .75 VF IF(A) 1 IR(uA) 500 IR VR(V) 60 CJ(PF) 90数据手册:文件名:411932552991.pdf文件大小:198.63 KB下载次数:44下载: