| 价 格: | 面议 | |
| 品牌: | IR 国际半导体 | |
| 型号: | IRFB17N60KPBF | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | NF/音频(低频) | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | SIT静电感应 | |
| 开启电压: | 1(V) | |
| 夹断电压: | 1(V) | |
| 低频跨导: | 1(μS) | |
| 极间电容: | 1(pF) | |
| 低频噪声系数: | 1(dB) | |
| 漏极电流: | 1(mA) | |
| 耗散功率: | 1(mW) |
原装飞捷电子是的功率器件分销商,致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二极管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二极管,肖特基二极管,智能电源开关管,IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | dzsc/19/0565/19056589.jpg 详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS(导通): | 0.42 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压: | 600 V |
| 闸/源击穿电压: | /- 30 V |
| 漏极连续电流: | 17 A |
| 功率耗散: | 340000 mW |
| 工作温度: | 150 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-220AB |
| 封装: | Tube |
| 最小工作温度: | - 55 C |
经营仙童、IR、ST、ON、全系列IC,MOS管,IGBT管,二三极管,SPM模块等系列产品.
Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:Bipolar Transistors RoHS:dzsc/19/0576/19057657.jpg Details Product:Bipolar Small Signal & Power Transistor Polarity:NPN Package / Case:TO-220F Configuration:Single Maximum Operating Frequency:15 MHz (Typ) Collector- Emitter Voltage VCEO Max:800 V Emitter- Base Voltage VEBO:7 V Maximum DC Collector Current:3 A Power Dissipation:40000 mW DC Current Gain hFE Min:15 @ 200mA @ 5V Packaging:TUBE Continuous Collector Current:5 A Maximum Operating Temperature:150 C仙童的代理商"