全新原装三极管 20N60C3 SPW20N60C3
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 是 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | 20N60C3 SPW20N60C3 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | NPN型 | |
| 击穿电压VCBO： | 22（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 22（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 22（W） | |
| 截止频率fT： | 22（MHz） | |
| 结构： | 点接触型 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 封装材料： | 金属封装 |
全新原装三极管 20N60C3 SPW20N60C3
全新原装三极管 20N60C3 SPW20N60C3
20N60C3 SPW20N60C3产品规格 参数
数据列表 SPW20N60C3
产品相片 TO-247 Pkg
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets TO-247
标准包装 240
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20.7A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 13.1A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 114nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2400pF @ 25V
功率 - 208W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 PG-TO247-3
包装 管件
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SP000013729
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义雄
- 电话：0755-82894329
- 传真：0755-82894329
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- QQ ：
供应可控硅BT137S现货
信息内容：制造商: NXP 产品种类: Triacs RoHS: 详细信息 额定重复关闭状态电压 VDRM: 600 V 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 8 A 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 0.1 mA 栅触发电压 (Vgt): 0.7 V 栅触发电流 (Igt): 30 mA 保持电流（Ih 值）: 20 mA 正向电压下降: 1.3 V 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-428 封装: Reel 工作温度: 125 C 最小工作温度: - 40 C 重复峰值正向闭塞电压: 600 V Standard Pack Qty: 2500 零件号别名: /T3 934049140118 BT137S-600 "
VISHAY原装快恢复二极管 SIHG22N60S
信息内容：VISHAY原装现货 SIHG22N60S SIHG22N60S-E3VISHAY原装现货 SIHG22N60S SIHG22N60S-E3 SIHG22N60S SIHG22N60S-E3产品规格 参数 数据列表 SIHG22N60S 产品目录绘图 SIHG Series TO-247 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 22A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 22A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 75nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2810pF @ 25V 功率 - 250W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247AC 包装 散装 产品目录页面 1663 (CN2011-ZH PDF)
