价 格: | 面议 | |
加工定制: | 否 | |
产品类型: | 快恢复二极管 | |
是否进口: | 是 | |
品牌/商标: | Vishay/威世通 | |
型号/规格: | SIHG22N60S SIHG22N60S-E3 | |
材料: | 氮(N) | |
主要参数: | 22 | |
用途: | 22 | |
备注: | 22 |
VISHAY原装现货 SIHG22N60S SIHG22N60S-E3
VISHAY原装现货 SIHG22N60S SIHG22N60S-E3
SIHG22N60S SIHG22N60S-E3产品规格 参数
数据列表 SIHG22N60S
产品目录绘图 SIHG Series TO-247
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 22A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 22A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 75nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2810pF @ 25V
功率 - 250W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
产品目录页面 1663 (CN2011-ZH PDF)
制造商: ON Semiconductor 产品种类: SCRs RoHS: 详细信息 转折电流 IBO: 10 A 额定重复关闭状态电压 VDRM: 400 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 0.01 mA 正向电压下降: 1.7 V 栅触发电压 (Vgt): 1.2 V 栅极峰值反向电压: 5 V 栅触发电流 (Igt): 0.2 mA 保持电流(Ih 值): 5 mA 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-92-3 (TO-226) 封装: Bulk Standard Pack Qty: 5000
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 RoHS: 详细信息 极性: Unidirectional 通道: 1 Channel 钳位电压: 58.1 V 工作电压: 36 V 封装 / 箱体: DO-214ABÿ 击穿电压: 40 V to 44.2 V 端接类型: SMD/SMT 峰值浪涌电流: 25.8 A 峰值脉冲功率耗散: 1500 W 工作温度: 150 C 最小工作温度: - 55 C 封装: Reel 尺寸: 6.25 (Max) mm W x 7.15 (Max) mm L 串联: SMCJ 零件号别名: SMCJ36A_NL