特价热销IRFBE30 MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRFBE30 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | 否 |
| 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）: | 3 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压: | 800 V |
| 闸/源击穿电压: | /- 20 V |
| 漏极连续电流: | 4.1 A |
| 功率耗散: | 125000 mW |
| 工作温度: | 150 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-220AB |
| 封装: | Tube |
| 最小工作温度: | - 55 C |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨宝林
- 电话：
- 传真：
- 手机：13902969450
- QQ ：
特价热销IRFBC40PBF MOS 场效应管
信息内容：IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/19/0569/19056945.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.2 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压:600 V闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流:6.2 A功率耗散:125000 mW 工作温度: 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB封装:Tube 最小工作温度:- 55 C"
特价热销MBR360 MOS 场效应管
信息内容：ON 原装飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。制造商:ON Semiconductor产品种类:肖特基（二极管与整流器） RoHS:dzsc/19/0607/19060744.jpg 详细信息产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:60 V正向连续电流:3 A @ Ta=65C 浪涌电流:80 A配置:Single 正向电压下降:1.08 V @ 9.4 A反向漏泄电流:600 uA 工作温度范围:- 65 C to 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Case 267-05封装:Reel"
