特价热销MBR360 MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 0N/安森美 | |
| 型号： | MBR360 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
ON 原装
飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
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| 产品种类: | 肖特基（二极管与整流器） |
| RoHS: | dzsc/19/0607/19060744.jpg 详细信息 |
| 产品: | Schottky Diodes |
| 峰值反向电压: | 60 V |
| 正向连续电流: | 3 A @ Ta=65C |
| 浪涌电流: | 80 A |
| 配置: | Single |
| 正向电压下降: | 1.08 V @ 9.4 A |
| 反向漏泄电流: | 600 uA |
| 工作温度范围: | - 65 C to 150 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | Case 267-05 |
| 封装: | Reel |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 杨宝林
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特价热销MBR6045WT MOS 场效应管
信息内容：IR 原装飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。产品种类:肖特基（二极管与整流器） RoHS:否产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:45 V正向连续电流:30 A 浪涌电流:2900 A配置:Dual Common Cathode 正向电压下降:0.75 V @ 60 A反向漏泄电流:1000 uA 工作温度范围:- 55 C to 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AC封装:Tube
现货热销IRFD9014PBF MOS 场效应管
信息内容：IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。产品种类:MOSFET 小信号 RoHS:dzsc/19/0774/19077486.jpg 详细信息配置:Single Dual Drain 晶体管极性:P-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.5 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压:60 V闸/源击穿电压: /- 20 V 漏极连续电流:1.1 A功率耗散:1300 mW 工作温度: 175 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:HexDIP封装:Tube 最小工作温度:- 55 C
