价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STF7NM60N | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 4(V) | |
极间电容: | 363(pF) | |
漏极电流: | 5000(mA) | |
耗散功率: | 20000(mW) |
• VDS=650V
• ID=5A
• 导通电阻:R<0.9Ω
• 总耗散功率:20W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
应用:开关电源,PFC,UPS电源,电机驱动装置FWD,缓冲器二极管特点:•封装形式:TO-220F•工作温度范围:-55 ~ 150°C•耗散功率:26W•反向电压:600V•快恢复时间:trr < 25ns
N-Channel MOSFET 500V, 18 A, 0.27Ω 适用于:电源,PFC,高电流高速开关 •封装类型:TO-220F •VDS=500V •VDS= 550V @ Tjmax •ID= 18.0A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 0.27Ω @ VGS = 10V •耗散功率:37W •工作温度范围:-55 ~ 150°C "