特价现货供应 三极管KRC106S
| 价 格： | 0.02 | |
| 品牌/商标： | KEC | |
| 型号/规格： | KRC106S | |
| 应用范围： | 开关 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 结构： | 面接触型 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 截止频率fT： | 100（MHz） | |
| 集电极允许电流ICM： | 150M（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 225M（W） | |
| 营销方式： | 现货 | |
| 产品性质： | 军工 |
dzsc/19/0532/19053216.jpg
品牌:KEC
封裝形式:SOT-23
引腳數量:3
溫度範圍:最小 -55 °C | 150 °C
文件大小:731 KB
功能應用:NPN transistor for switching applications, interface circuit and driver circuit applications. With buit-in bias resistors (4.7 and 47 kOm)
- 所属城市：广东 东莞
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张新旭
- 电话：0769-83033107
- 传真：0769-83033107
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特价现货供应 三极管KRC101S
信息内容：dzsc/19/1272/19127267.jpgSWITCHING APPLICATION.INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.FEATURESWith Built-in Bias Resistors.Simplify Circuit Design.Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.DIM MILLIMETERS1. COMMON (EMITTER)2. IN (BASE)3. OUT (COLLECTOR)SOT-23ABCDE2.93 0.201.30 0.20/-0.150.45 0.15/-0.052.40 0.30/-0.20G 1.90HJKLMN0.950.13 0.10/-0.050.00 ~ 0.100.550.20 MIN1.00 0.20/-0.10MJKE12 3HGANCBD1.30 MAXL LP PP 7 _EQUIVALENT CIRCUITMAXIMUM RATING (Ta=25 )BIAS RESISTOR VALUESR1R2COMMONOUTINTYPE NO. R1(k ) R2(k )KRC101S 4.7 4.7KRC102S 10 10KRC103S 22 22KRC104S 47 47KRC105S 2.2 47KRC106S 4.7 47CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITOutput Voltage KRC101S 106S VO 50 VInput VoltageKRC101SVI20, -10VKRC102S 30, -10KRC103S 40, -10KRC104S 40, -10KRC105S 12, -5KRC106S 20, -5Output CurrentKRC101S 106SIO 100 mAPower Dissipation PD 200 mWJunction Temperature Tj 150Storage Temperature Range Tstg -55 150TYPE KRC101S KRC102S KRC103S KRC104S KRC105S KRC106SMARK NA NB NC ND NE NF ...
原装现货供应长电三极管M8050 Y11
信息内容：0.625 W（Tamb=25℃）Collector currentICM : 1 ACollector-base voltageV(BR)CBO : 40 VOperating and storage junction temperature rangeTJ，Tstg: -55℃ to 150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100μA ， IE=0 40 VCollector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC= 0.1mA , IB=0 25 VEmitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= 100μA， IC=0 6 VCollector cut-off current ICBO VCB= 35V , IE=0 0.1 μACollector cut-off current ICEO VCE= 20V , IB=0 0.1 μAhFE(1) VCE=1V, IC=5mA 45DC current gain hFE(2) VCE=1V, IC=100mA 80 300hFE（3） VCE=1V, IC=800mA 40Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= 800mA, IB=80mA 0.5 VBase-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=800mA, IB= 80mA 1.2 VTransition frequency f T VCE=6V, IC= 20mA , f=30MHz 150 MHz
