仙童N沟道功率场效应管 11N50 全新环保 现货
| 价 格： | 0.01 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | 11N50 | |
| 材料： | SIT静电感应 | |
| 用途： | NF/音频(低频) | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.55 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 15 S
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 11 A
功率耗散: 195 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
零件号别名: FQP11N50CF_NL
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义伟
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专营场效应管FQPF9N50现货
信息内容：制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.73 Ohm @ 10 V 正向跨导 gFS（值/最小值） : 5.4 S 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 5.3 A 功率耗散: 50000 mW 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQPF9N50_NL "
专营INFINEON英飞凌场效应管 47N60C3 SPW47N60C3 现货特价
信息内容：专营INFINEON英飞凌场效应管 47N60C3 SPW47N60C3 专营INFINEON英飞凌场效应管 47N60C3 SPW47N60C3 47N60C3 SPW47N60C3产品规格 参数 数据列表 SPW47N60C3 产品相片 TO-247 Pkg 产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters 产品目录绘图 Mosfets TO-247 标准包装 240类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 CoolMOS™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 650V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 47A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 70 毫欧 @ 30A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 3.9V @ 2.7mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 320nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6800pF @ 25V 功率 - 415W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 PG-TO247-3 包装 管件 产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 SP000013953SPW47N60C3INSPW47N60C3XSPW47N60C3XKSPW47N60C3XTINSPW47N60C3XTIN-ND "
