价 格: | 0.10 | |
封装外形: | TO-220-3 整包 | |
型号/规格: | FQPF9N50 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
沟道类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.73 Ohm @ 10 V
正向跨导 gFS(值/最小值) : 5.4 S
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 5.3 A
功率耗散: 50000 mW
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
零件号别名: FQPF9N50_NL
专营INFINEON英飞凌场效应管 47N60C3 SPW47N60C3 专营INFINEON英飞凌场效应管 47N60C3 SPW47N60C3 47N60C3 SPW47N60C3产品规格 参数 数据列表 SPW47N60C3 产品相片 TO-247 Pkg 产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters 产品目录绘图 Mosfets TO-247 标准包装 240类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 CoolMOS™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 650V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 47A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 70 毫欧 @ 30A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 3.9V @ 2.7mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 320nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6800pF @ 25V 功率 - 415W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 PG-TO247-3 包装 管件 产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 SP000013953SPW47N60C3INSPW47N60C3XSPW47N60C3XKSPW47N60C3XTINSPW47N60C3XTIN-ND "
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: 开关变换器、稳压器与控制器 RoHS: 详细信息 输出电压: 4.8 V to 5.2 V 输出电流: 3 A 开关频率: 70 KHz 工作温度范围: - 25 C to 85 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220F-4L 封装: Tube 占空因数(值): 82 % 零件号别名: KA5M0365RTU_NL "