价 格: | 6.00 | |
品牌/商标: | 其他 | |
型号/规格: | FDS6890A | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 20(V) | |
夹断电压: | 4.5(V) | |
跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 0(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 0(mA) | |
耗散功率: | 0(mW) |
FDS6890A |
8-SOIC |
High Voltage Switches for Power Processing |
Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
2,500 |
分离式半导体产品 |
FET - 阵列 |
PowerTrench® |
2 个 N 沟道(双) |
逻辑电平门 |
18 毫欧 @ 7.5A, 4.5V |
20V |
7.5A |
1.5V @ 250µA |
32nC @ 4.5V |
2130pF @ 10V |
900mW |
表面贴装 |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
8-SOICN |
带卷 (TR) |
数据列表1.5KE Series产品相片1.5KE Series Unidirectional产品培训模块Transient Voltage Suppression (TVS) Diodes产品目录绘图1.5KE Series Axial Side标准包装1,200类别过电压,电流,温度装置家庭TVS - 二极管系列1.5KE电压 - 反向隔离(标准值)5.8V电压 - 击穿6.45V功率(瓦特)1500W电极标记单向安装类型通孔封装/外壳轴向供应商设备封装轴向包装带卷 (TR)
SOT-223, N沟MOSFET数据列表NDT3055L产品相片SOT-223-4产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品目录绘图MOSFET SOT-223 Pkg标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4AId 时的 Vgs(th)()2V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)345pF @ 25V功率 - 1.1W安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4, TO-261AA包装带卷 (TR)供应商设备封装SOT-223-3