价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | AO | |
型号/规格: | AO4404BQ | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 30(V) | |
夹断电压: | 5(V) | |
低频跨导: | 25(μS) | |
极间电容: | 12(pF) | |
低频噪声系数: | 36(dB) | |
漏极电流: | 8.5A(mA) | |
耗散功率: | 12500(mW) |
AO4404B |
8-SOIC |
AO4xxx Series 8-SOIC Top AO4xxx Series 8-SOIC End AO4xxx Series 8-SOIC Side |
3,000 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
- |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
24 毫欧 @ 8.5A, 10V |
30V |
1.5V @ 250µA |
12nC @ 4.5V |
8.5A |
1100pF @ 15V |
2.8W |
表面贴装 |
8-SOIC |
带卷 (TR) |
数据列表SI4830ADY产品相片Pkg 5498产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFETs - 阵列系列-FET 型2 个 N 沟道(双)FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 7.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.7A在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)供应商设备封装*产品目录页面1497 (CN091-10 PDF)其它名称SI4830ADY-T1-E3TR"
公司主要代理美国福斯特半导体,授权分销美国安森美半导体,经营产品为二极管、三极管、MOS管、肖特基、快恢复、可控硅,集成电路。MOSFET主要型号有:FIR5N40P 5A 400V TO-220FIR10N40P 10A 400V TO-220FIR5N50P 5A 500V TO-220FIR5N50F 5A 500V TO-220FFIR9N50P 9A 500V TO-220FIR9N50F 9A 500V TO-220FFIR14N50P 13A 500V TO-220FIR16N50P 16A 500V TO-220FIR16N50F 16A 500V TO-220FFIR20N50P 20A 500V TO-247FIR1N60P 1A 600V TO-92FIR2N60P 2A 600V TO-220FIR2N60F 2A 600V TO-220FFIR5N60P 5A 600V TO-220FIR5N60F 5A 600V TO-220FFIR8N60P 8A 600V TO-220FIR8N60F 8A 600V TO-220FFIR10N60P 10A 600V TO-220FIR10N60F 10A 600V TO-220FFIR12N60P 12A 600V TO-220FIR12N60F 12A 600V TO-220FFIR4N65F 4A 650V TO-220FFIR5N65F 5A 650V TO-220FFIR10N65F 10A 650V TO-220FFIR1N80P 1A 800V TO-220FIR4N80P 4A 800V TO-220FIR9N80P ...