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AO4404B 全新原包装 SOP-8

价 格: 面议
品牌/商标:AO
型号/规格:AO4404BQ
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:30(V)
夹断电压:5(V)
低频跨导:25(μS)
极间电容:12(pF)
低频噪声系数:36(dB)
漏极电流:8.5A(mA)
耗散功率:12500(mW)

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装
AO4404B
8-SOIC
AO4xxx Series 8-SOIC Top
AO4xxx Series 8-SOIC End
AO4xxx Series 8-SOIC Side
3,000
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
24 毫欧 @ 8.5A, 10V
30V
1.5V @ 250µA
12nC @ 4.5V
8.5A
1100pF @ 15V
2.8W
表面贴装
8-SOIC
带卷 (TR)
"

深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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SI4830ADY 原装现货 特价 热销

信息内容:

数据列表SI4830ADY产品相片Pkg 5498产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFETs - 阵列系列-FET 型2 个 N 沟道(双)FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 7.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.7A在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.1W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(3.9mm 宽)包装带卷 (TR)供应商设备封装*产品目录页面1497 (CN091-10 PDF)其它名称SI4830ADY-T1-E3TR"

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FIR7N60F 福斯特公司 N-MOSFET TO-220 7A 600V 性价比高

信息内容:

公司主要代理美国福斯特半导体,授权分销美国安森美半导体,经营产品为二极管、三极管、MOS管、肖特基、快恢复、可控硅,集成电路。MOSFET主要型号有:FIR5N40P 5A 400V TO-220FIR10N40P 10A 400V TO-220FIR5N50P 5A 500V TO-220FIR5N50F 5A 500V TO-220FFIR9N50P 9A 500V TO-220FIR9N50F 9A 500V TO-220FFIR14N50P 13A 500V TO-220FIR16N50P 16A 500V TO-220FIR16N50F 16A 500V TO-220FFIR20N50P 20A 500V TO-247FIR1N60P 1A 600V TO-92FIR2N60P 2A 600V TO-220FIR2N60F 2A 600V TO-220FFIR5N60P 5A 600V TO-220FIR5N60F 5A 600V TO-220FFIR8N60P 8A 600V TO-220FIR8N60F 8A 600V TO-220FFIR10N60P 10A 600V TO-220FIR10N60F 10A 600V TO-220FFIR12N60P 12A 600V TO-220FIR12N60F 12A 600V TO-220FFIR4N65F 4A 650V TO-220FFIR5N65F 5A 650V TO-220FFIR10N65F 10A 650V TO-220FFIR1N80P 1A 800V TO-220FIR4N80P 4A 800V TO-220FIR9N80P ...

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