价 格: | 1.30 | |
品牌: | 福斯特 | |
型号: | FIR7N60F | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | HI-REL/高可靠性 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 600(V) | |
夹断电压: | 600(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 10(pF) | |
低频噪声系数: | 10(dB) | |
漏极电流: | 10(mA) | |
耗散功率: | 10(mW) |
公司主要代理美国福斯特半导体,授权分销美国安森美半导体,经营产品为二极管、三极管、MOS管、肖特基、快恢复、可控硅,集成电路。
MOSFET主要型号有:
FIR5N40P 5A 400V TO-220
FIR10N40P 10A 400V TO-220
FIR5N50P 5A 500V TO-220
FIR5N50F 5A 500V TO-220F
FIR9N50P 9A 500V TO-220
FIR9N50F 9A 500V TO-220F
FIR14N50P 13A 500V TO-220
FIR16N50P 16A 500V TO-220
FIR16N50F 16A 500V TO-220F
FIR20N50P 20A 500V TO-247
FIR1N60P 1A 600V TO-92
FIR2N60P 2A 600V TO-220
FIR2N60F 2A 600V TO-220F
FIR5N60P 5A 600V TO-220
FIR5N60F 5A 600V TO-220F
FIR8N60P 8A 600V TO-220
FIR8N60F 8A 600V TO-220F
FIR10N60P 10A 600V TO-220
FIR10N60F 10A 600V TO-220F
FIR12N60P 12A 600V TO-220
FIR12N60F 12A 600V TO-220F
FIR4N65F 4A 650V TO-220F
FIR5N65F 5A 650V TO-220F
FIR10N65F 10A 650V TO-220F
FIR1N80P 1A 800V TO-220
FIR4N80P 4A 800V TO-220
FIR9N80P 9A 800V TO-220
FIR9N90P 9A 900V TO-220
FIR9N90AN 9A 900V TO-247
肖特基主要型号有:
MBR1040 10A 40V TO-220
MBR1045 10A 45V TO-220
MBR10100 10A 100V TO-220
MBR10150 10A 150V TO-220
MBR10200 10A 200V TO-220
MBR2040 20A 40V TO-220
MBR2045 20A 45V TO-220
MBR2060 20A 60V TO-220
MBR20100 20A 100V TO-220
MBR20150 20A 150V TO-220
MBR20200 20A 200V TO-220
MBR3040 30A 40V TO-220
MBR3045 30A 45V TO-220
MBR3060 60A 60V TO-220
MBR30100 30A 100V TO-220
MBR30150 30A 150V TO-220
MBR40100 40A 100V TO-220
MBR601000 60A 100V TO-220
IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF 規格書IRF6216PbF產品相片8-SOIC標準包裝4,000類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET P通道,金屬氧化物FET特點標準型漏極至源極的電壓(Vdss)150V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C2.2A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C240 毫歐姆 @ 1.3A, 10VId時的Vgs(th)(值)5V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs49nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)1280pF @ 25V功率 - 2.5W安裝類型表面黏著式封裝/外殼8-SOIC(0.154", 3.90mm寬)供應商設備封裝8-SO封裝編帶和捲軸封裝(TR)其他名稱IRF6216TRPBF-NDIRF6216TRPBFTR替代的封裝本零件更有以下封裝可供選擇:
您的位置:首页> 产品详细资料 :IRFB3207PBF 3P/TO-220AB (ROHS) 55376*E-MAIL给朋友1打印此页详细信息图片 100Y编号:55376 厂商编号:IRFB3207PBF 制造厂商:IR 所在分类:31﹒IR_功率场效电晶体 参数说明 Description HEXFET电源MOSFET Pins/Package 3P/TO-220AB Pd(max.) 330W Id(max.) 180A Vds(max.) 75V N/P Ch. N-Channel Rds(on)(max.) Ω 4.5mΩ 重量 1.2g产品目录 & 制造厂商技术资料dzsc/19/0566/19056699.jpg制造厂商技术资料-Data SheetIRFB3207PBFdzsc/19/0566/19056699.jpg( 查看原图 )询价 数 量: