N沟MOSF管IRL3713S
| 价 格： | 5.00 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 型号/规格： | IRL3713S | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 开启电压： | 30（V） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRL3713PbF |
| D2PAK, TO-263 |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 3 毫欧 @ 38A, 10V |
| 30V |
| 260A |
| 2.5V @ 250µA |
| 110nC @ 4.5V |
| 5890pF @ 15V |
| 330W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB |
| D2PAK |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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肖特基二极管SD101CW
信息内容：NA Diode - Schottky Single 250MW 50V数据列表SD101AWS - SD101CWS产品相片SOD-323-2产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图MCC Diode SOD-323 Pkg标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）900mV @ 15mA电压 - (Vr)（）40V电流 - 平均整流 (Io)-电流 - 在 Vr 时反向漏电200nA @ 30V二极管型肖特基速度小信号 =< 200mA (Io)，任意速度反向恢复时间(trr)1ns电容@ Vr, F-安装类型表面贴装封装/外壳SOD-323-2供应商设备封装SOD-323包装带卷 (TR)产品目录页面1576 (CN2010-11 Interactive)1576 (CN2010-11 PDF)其它名称SD101CWSTPMSTR"
N沟MOSF管FDS6890A
信息内容：数据列表FDS6890A产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, SO-8标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列PowerTrench®FET 型2 个 N 沟道（双）FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 7.5A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5AId 时的 Vgs(th)（）1.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2130pF @ 10V功率 - 900mW安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)
