价 格: | 1.15 | |
品牌/商标: | Wisdom | |
型号/规格: | WFF2N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
低频噪声系数: | 0.1 | |
低频跨导: | 0.1 | |
漏极电流: | 0.1 |
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WFF2N60 TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 2A,600V,RDS(on)=5.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
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"韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货供应WFP75N75(TO-220)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管WFP75N75 TO-220 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电WFP75N75 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 75A,75V,RDS(on)=0.015Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630dzsc/19/0542/19054288.jpg"
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货长期供应全新场效应管场效应管7N65 质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电7N65 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 7A,650V,RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快dzsc/19/0549/19054963.jpg7N65 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 7A,650V,RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快