供应MDS150A1600V三相整流桥模块
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | 安泰 | |
| 型号/规格： | MDS150A1600 | |
| 产品类型： | 整流管 | |
| 结构： | 面接触型 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 封装形式： | 功率型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 低频 | |
| 出光面特征： | 矩形 | |
| 发光强度角分布： | 标准型 | |
| 正向直流电流IF： | 150（A） | |
| 反向电压： | 1600（V） |
MDS系列模块产品是按国际标准生产的三相整流桥模块。将功率整流二极管按标准三相整流全桥电路封装在一起，功率半导体芯片和底基板绝缘，结构紧凑。体积小、重量轻、安装使用方便，多个模块可以共用一个散热器。广泛的应用在直流屏，变频器，直流充电电源和直流电动机等。
特点
●体积小、重量轻、便于安装 ●隔离电压交流2500V ●玻璃钝化工艺芯片
●阻断电压高达1800V ●低通态压降 ●耐高的浪涌电流
典型应用
●直流电源 ●直流电机 ●开关电源
●电焊机 ●电池充放电 ●PWM变频器整流
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可控硅晶闸管模MTA200A/800V-1600V
信息内容：符号 参数名称 参数值 单位 测试条件 ITAV 通态电流 平均值 200 250 300 A 180°导通 正弦半波 IFAV正向电流 平均值200250300A180°导通 正弦半波ITSMIFSM浪涌电流600060007000760078008500AT=10mS 非重复T=8.3mS 非重复I2T 180000180000245000245000304000300000A2ST=10mS 非重复T=8.3mS 非重复IRRM/IDRM断态漏电流≤15mATJ=125℃,门极开路VRRM反向重复峰值电压800-1800V125℃ I RRM,I DRM=10mA门极开路VDRM断态重复峰值电压VTMVFM峰值通态电压峰值正向电压≤1.9≤1.9≤1.9VITM=πITAV；IFM=πIFAVTJ=25℃ 180°导通 压接1.9VDi/dt通态电流上升率150A/μSTJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μsDv/dt断态电压上升率500V/μSTJ=125℃,0.67VDRM，门极开路IH维持电流200mATJ=25℃,阳极电压=6V 阻性负载，门极开路IL擎住电流400mATJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载PGM门极峰值功率101012W IGM门极峰值电流2.52.53A VGT门极触发电压≤2VTJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载IGT门极触发电流≤100mAVISO绝缘电压2500V50HZ电路对基板，接线端短接。T=1sTJ工作结温-40 to 125℃ Tstg储存温度K/W每个模块，直流RthJC结壳热阻0.100.090....
可控硅模块MTC400A/2400V
信息内容：符号 参数名称 参数值 单位 测试条件 ITAV 通态电流 平均值 350 400 500 A 180°导通 正弦半波IFAV正向电流 平均值350400500A180°导通 正弦半波ITSMIFSM浪涌电流8400900091009800950011000AT=10mS 非重复T=8.3mS 非重复I2T 330000330000400000400000450000450000A2ST=10mS 非重复T=8.3mS 非重复IRRM/IDRM断态漏电流1520mATJ=125℃,门极开路VRRM反向重复峰值电压800-1800V125℃ I RRM,I DRM=15~20mA门极开路VDRM断态重复峰值电压800-1800VTMVFM峰值通态电压峰值正向电压1.91.901.501.901.50VITM=πITAV；IFM=πIFAVTJ=25℃ 180°导通Di/dt通态电流上升率150A/μSTJ=25℃,0.67VDGM,Ig=500mA,tr<0.5μs,tp>6μsDv/dt断态电压上升率500V/μSTJ=125℃,0.67VDRM，门极开路IH维持电流200mATJ=25℃,阳极电压=6V 阻性负载，门极开路IL擎住电流400mATJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载PGM门极峰值功率101212W IGM门极峰值电流2.533A VGT门极触发电压≤2VTJ=25℃ 阳极电压=6V 阻性负载IGT门极触发电流≤100mAVISO绝缘电压2500V50HZ电路对基板，接线端短接。T=1sTJ工作结温-40 to 125℃ Tstg储存温度 RthJC结壳热阻0.070.0650.06K/W每个模块，直流...
