原厂供应超结MOS管 场效应管NCE20N60T 600V/20A
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | NCE | |
| 型号/规格： | NCE20N60T | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2.5-3.5（V） | |
| 夹断电压： | 大于600（V） | |
| 极间电容： | 2300（pF） |
产品特征：卓越的功率转换效率
极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A）
极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg)
卓越的Eas能力（100?s测试）
产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗
适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄
照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率
消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效
Vds=600V；Id=20A ；
RDS(ON)<190mΩ @Vgs=10V (Typ:155mΩ)
注：@在…的条件下 封装：TO-247
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- 所属城市：江苏 无锡
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- 联系人： 王敏
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原厂供应超结MOS管 场效应管NCE20N50T 500V/20A
信息内容：产品特征：卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻（Ron*A） 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100?s测试） 产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗 适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄 照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效 Vds=500V；Id=20A ； RDS(ON)<190mΩ @Vgs=10V (Typ:155mΩ) 注：@在…的条件下 封装：NCE20N50T为TO-247 dzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpgdzsc/19/0495/19049501.jpg"
原厂供应超结MOS管 场效应管NCE20N65/F 650V/20A
信息内容：产品应用：电脑、服务器的电源——更低的功率损耗 适配器（笔记本电脑，打印机等）——更轻、更薄 照明（HID灯，工业照明，道路照明等）更高的功率转换功率 消费类电子产品（液晶电视，等离子电视等）——更轻、更薄、更高能效 Vds=650V；Id=20A ； RDS(ON)<190mΩ @Vgs=10V (Typ:160mΩ) 注：@在…的条件下 封装：NCE20N65为TO-220 NCE20N65F为TO-220Fdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpgdzsc/19/1268/19126826.jpg"
