价 格: | 1.00 | |
品牌/商标: | NCE | |
型号/规格: | NCE20N65 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2.5-3.5(V) | |
夹断电压: | 大于650(V) | |
极间电容: | 2300(pF) |
产品应用:电脑、服务器的电源——更低的功率损耗
适配器(笔记本电脑,打印机等)——更轻、更薄
照明(HID灯,工业照明,道路照明等)更高的功率转换功率
消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)——更轻、更薄、更高能效
Vds=650V;Id=20A ;
RDS(ON)<190mΩ @Vgs=10V (Typ:160mΩ)
注:@在…的条件下 封装:NCE20N65为TO-220 NCE20N65F为TO-220F
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产品特征:卓越的功率转换效率 极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻(Ron*A) 极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM(Ron*Qg) 卓越的Eas能力(100?s测试) 产品应用:电脑、服务器的电源——更低的功率损耗 适配器(笔记本电脑,打印机等)——更轻、更薄 照明(HID灯,工业照明,道路照明等)更高的功率转换功率 消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)——更轻、更薄、更高能效 Vds=650V;Id=4.8A ; RDS(ON)<950mΩ @Vgs=10V (Typ:850mΩ) 注:@在…的条件下 封装:NCE05N65F为TO-220F NCE05N65D为TO-263 NCE05N65为TO-220dzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpgdzsc/19/1331/19133113.jpg