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IRF2804PBF IRF2804 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 原装

价 格: 5.20
品牌:IR/国际整流器
型号:IRF2804PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:HG/高跨导
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:40(V)
夹断电压:40(V)
跨导:40(μS)
极间电容:40(pF)
低频噪声系数:40(dB)
漏极电流:40(mA)
耗散功率:40(mW)

dzsc/19/0297/19029736.jpg

MOSFET, N TO-220 TUBE 50

  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:280A
  • Drain Source Voltage Vds:40V
  • On Resistance Rds(on):2.3mohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
  • Threshold Voltage Vgs Typ:4V
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max:270A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:2.3ohm
  • Package / Case:TO-220AB
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:1080A
  • Termination Type:Through Hole
  • Voltage Vds Typ:40V
  • Voltage Vgs Max:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

 

 

 

 

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深圳市长亮源科技有限公司
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IRF4104PBF IRF4104 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 原装

信息内容:

規格書IRF4104(S,L)PbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C5.5 毫歐姆 @ 75A, 10V漏極至源極的電壓(Vdss)40V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C75AId時的Vgs(th)(值)4V @ 250µA閘電流(Qg) @ Vgs100nC @ 10VVds時的輸入電容(Ciss)3000pF @ 25V功率 - 140W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3封裝管裝供應商設備封裝TO-220AB其他名稱*IRF4104PBF"

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新到货! IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZPBF FR3709Z TO-252 MO

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IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF、 您的位置:首页> 产品详细资料 :IRFR3709ZPBF DPAK (ROHS) 30V/86A 62509*E-MAIL给朋友1打印此页详细信息图片 100Y编号:62509 厂商编号:IRFR3709ZPBF 制造厂商:IR 所在分类:31﹒IR_功率场效电晶体 参数说明 Description HEXFET电源MOSFET Pins/Package TO-252AA (DPAK) Pd(max.) 79W Id(max.) 86A Vds(max.) 30V Vgs ±20V N/P Ch. N-Channel Rds(on)(max.) Ω 6.5mΩ产品目录 & 制造厂商技术资料dzsc/19/0297/19029740.jpg制造厂商技术资料-Data SheetIRFR3709ZPBFdzsc/19/0297/19029740.jpg( 查看原图 )询价 数  量:

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