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IRF4104PBF IRF4104 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB 原装

价 格: 面议
品牌:IR/国际整流器
型号:IRF4104PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:70(V)
夹断电压:70(V)
低频跨导:10(μS)
极间电容:410(pF)
低频噪声系数:10(dB)
漏极电流:421(mA)
耗散功率:15000(mW)

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝其他名稱
IRF4104(S,L)PbF
TO-220AB Pkg
IR Hexfet TO-220AB
50
離散半導體產品
MOSFET,GaNFET - 單
HEXFET®
MOSFET N通道,金屬氧化物
標準
5.5 毫歐姆 @ 75A, 10V
40V
75A
4V @ 250µA
100nC @ 10V
3000pF @ 25V
140W
通孔
TO-220-3
管裝
TO-220AB
*IRF4104PBF
"

深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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新到货! IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZPBF FR3709Z TO-252 MO

信息内容:

IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF、 您的位置:首页> 产品详细资料 :IRFR3709ZPBF DPAK (ROHS) 30V/86A 62509*E-MAIL给朋友1打印此页详细信息图片 100Y编号:62509 厂商编号:IRFR3709ZPBF 制造厂商:IR 所在分类:31﹒IR_功率场效电晶体 参数说明 Description HEXFET电源MOSFET Pins/Package TO-252AA (DPAK) Pd(max.) 79W Id(max.) 86A Vds(max.) 30V Vgs ±20V N/P Ch. N-Channel Rds(on)(max.) Ω 6.5mΩ产品目录 & 制造厂商技术资料dzsc/19/0297/19029740.jpg制造厂商技术资料-Data SheetIRFR3709ZPBFdzsc/19/0297/19029740.jpg( 查看原图 )询价 数  量:

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IGBT SGH40N60UFD G40N60UFD G40N60 全新原装 TO-3P 40A

信息内容:

規格書SGH40N60UFD產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing標準包裝30類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿(值)600VVge, Ic時的Vce(開)2.6V @ 15V, 20A電流 - 集電極(Ic)(值)40A功率 - 160W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-3PN供應商設備封裝TO-3PN封裝管裝 規格書SGH40N60UFD產品培訓模組High Voltage Switches for Power Processing標準包裝30類別離散半導體產品家庭IGBT - 單路系列-IGBT類型-電壓 - 集電極發射極擊穿(值)600VVge, Ic時的Vce(開)2.6V @ 15V, 20A電流 - 集電極(Ic)(值)40A功率 - 160W輸入類型標準安裝類型通孔封裝/外殼TO-3PN供應商設備封裝TO-3PN封裝管裝"

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