价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD1655RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | UNI/一般用途 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
跨导: | 26000(μS) | |
极间电容: | 719(pF) | |
漏极电流: | 25000(mA) | |
耗散功率: | 50000(mW) |
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 25A, 15m,
MDD1655适用于:PWM,通用应用等
•导通电阻:R DS(ON)
< 15mΩ @VGS = 10V
< 23mΩ @VGS = 4.5V
•开启延迟时间:5.1ns
•关断延迟时间: 33.1ns
•工作温度范围:-55 to 150°C
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N−Channel 38Amps 60 Volts Power MOSFET •无铅包装 •封装:DPAK(TO-252) •工作温度范围:-55 to 150°C •开启延迟时间:10ns •关断延迟时间:20ns •导通电阻: R=18mΩ @10V •耗散功率: PD=52W
•功率损耗:39W •工作温度范围:-55 ~ 150°C •封装形式:TO-220F