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供应 美格拉(纳)MOS—MDD1655RH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDD1655RH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:UNI/一般用途
封装外形:SMD(SO)/表面封装
跨导:26000(μS)
极间电容:719(pF)
漏极电流:25000(mA)
耗散功率:50000(mW)

Single N-channel Trench MOSFET 30V, 25A, 15m,

MDD1655适用于:PWM,通用应用等

 

•导通电阻:R DS(ON)
< 15mΩ @VGS = 10V
< 23mΩ @VGS = 4.5V

•开启延迟时间:5.1ns

•关断延迟时间: 33.1ns

•工作温度范围:-55 to 150°C

 

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上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
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•功率损耗:39W •工作温度范围:-55 ~ 150°C •封装形式:TO-220F

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