供应安森美功率MOS管——NTD5865NT4G
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | NTD5865NT4G | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 跨导： | 6900（μS） | |
| 极间电容： | 1261（pF） | |
| 漏极电流： | 38000（mA） | |
| 耗散功率： | 52000（mW） |
N−Channel 38Amps 60 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装：DPAK(TO-252)
•工作温度范围：-55 to 150°C
•开启延迟时间：10ns
•关断延迟时间：20ns
•导通电阻: R=18mΩ @10V
•耗散功率： PD=52W
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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