SI2301,SI2301DS场效应管
| 价 格： | 0.21 | |
| 品牌： | VISHARY | |
| 型号： | SI2301,SI2301DS场效应管 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | HI-IMP/高输入阻抗 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 220（V） | |
| 夹断电压： | 220（V） | |
| 低频跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 10（pF） | |
| 低频噪声系数： | 10（dB） | |
| 漏极电流： | 20（mA） | |
| 耗散功率： | 10（mW） |
SI2301,SI2301DS场效应管
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结型场效应管 深圳市福田区科欣伟业电子商行
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 罗壮林
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