品牌/商标 | IR,仙童 | 型号/规格 | IRFZ20,IRFZ22 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
材料 | 硅 | 开启电压 | 2.5(V) |
夹断电压 | 60(V) | 低频跨导 | 1(μS) |
极间电容 | 1(pF) | 低频噪声系数 | 1(dB) |
漏极电流 | 1(mA) | 耗散功率 | 1(mW) |
品牌/商标 英飞凌 型号/规格 SPP17N80C3,SPW17N80C3,SPA17N80C3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5(V) 夹断电压 800(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) SPP17N80C3 TO-220(半塑封) 800V17A0.29欧208WSPA17N80C3 TO-220(全塑封) 800V17A0.29欧42WSPW17N80C3 TO-247 800V17A0.29欧208W经营英飞凌系列场效应管,型号齐全欢迎来人来电查询合作。
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF630N,IRFI630,IRFS630 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 200(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) IRF630,IRF630N,IRF630A,IRF630B,IRFI630,IRF630S,IRL630,IRFS630.TO-220A/B,TO-263封装,200V9.3A 0.30欧.具体价格以当天报价为准。