MOS管60N06 TO-220
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 桂微牌 | |
| 型号/规格： | MTP60N06 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
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厂家特价热卖大功率MOS管GMP60N06
信息内容：大功率MOS管具有大电流、低正向压降、高频低功耗、高浪涌电流、瞬态保护等特点，作为一种低压整流器件，可应用于各种低压高频开关电源，如稳压器、整流器、逆变器、UPS、电源、电动汽车、工业变频等。目前，该类产品已形成了完整的系列，国外已经大批量生产，国内尚处于产品研制和小批量生产阶段，在国内有很大的市场需求量，而我司桂微电子是厂家，这款产品出厂价在市场有蛮多价格优势，望各厂家或者贸易商来电商谈合作事宜，电话0773-5855299 15078382680，杨先生。
厂家直销低压MOS管SI2301/SI2302 3A电流
信息内容：GM603 SOT-23場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors) N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs N沟道增强型MOS场效应管 ■MAXIMUM RATINGS額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS 20 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS 10 V Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 ID 3 A Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 IDM 10 A Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲25℃ PD 1000 mW Junction 結溫 TJ 150 ℃ Storage Temperature 儲存溫度 Tstg -55to 150 ℃
