价 格: | 68.00 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | SI2301/SI2302 | |
开启电压: | 0.5 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | 桂微牌 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 | |
耗散功率: | 1000 |
GM603
SOT-23場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
N沟道增强型MOS场效应管
■MAXIMUM RATINGS額定值
Characteristic
特性參數
| Symbol
符號
| Max
值
| Unit
單位
|
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
| BVDSS
| 20
| V
|
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
| VGS
| 10
| V
|
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
| ID
| 3
| A
|
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
| IDM
| 10
| A
|
Total Device Dissipation
總耗散功率
TA=25℃環境溫度爲25℃
| PD
| 1000
| mW
|
Junction
結溫
| TJ
| 150
| ℃
|
Storage Temperature
儲存溫度
| Tstg
| -55to 150
| ℃
|