场效应管 AP02N60GH 02N60H 02N60GH
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 型号/规格： | AP02N60H,MOS,600V,1.6A,8Ω,252 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 30 | |
| 极间电容： | 240 | |
| 漏极电流： | 1.6A |
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AP02N60H,MOS,600V,1.6A,8Ω,252
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场效应管 CEU4204,CEU6426,CEU6060N
信息内容：CEU4204,SOT-252,SMD/MOS,N场,40V,24A,0.03ΩCEU6426,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,16A,0.066ΩCEU6060N,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,34A,0.025ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.产品型号:CEU6060N源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):34源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.025开启电压VGS(TH)(V):功率PD(W):62.5极间电容Ciss(PF):1320通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT-252 /-55 ~150描述:60V, 34A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 SSF10N90A SSF10N80A 10N90
信息内容：产品型号:SSF10N90A封装:TO-3PF源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):6.5源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3.5功率PD(W):100极间电容Ciss(PF):2760通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：5.75单脉冲雪崩能量EAS(mJ):783温度(℃): -55 ~150描述:900V,6.5A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
