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供应 美格拉(纳)MOS—MDP9N50TH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDP9N50TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:5(V)
跨导:7000(μS)
极间电容:780(pF)
漏极电流:9000(mA)
耗散功率:120000(mW)

 N-Channel MOSFET 500V, 9.0 A, 0.85Ω

Applications :
Power Supply
HID
Lighting

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
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信息内容:

800V N-Channel MOSFET •开启延迟时间:35ns •关断延迟时间:50ns •工作温度范围:-55 to 150°C •封装:TO-220F •针脚数:3 •耗散功率:56W "

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供应 美格拉(纳)MOS—MDD1655RH 原装

信息内容:

Single N-channel Trench MOSFET 30V, 25A, 15m,MDD1655适用于:PWM,通用应用等 •导通电阻:R DS(ON)< 15mΩ @VGS = 10V< 23mΩ @VGS = 4.5V•开启延迟时间:5.1ns•关断延迟时间: 33.1ns•工作温度范围:-55 to 150°C "

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