价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP9N50TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 7000(μS) | |
极间电容: | 780(pF) | |
漏极电流: | 9000(mA) | |
耗散功率: | 120000(mW) |
N-Channel MOSFET 500V, 9.0 A, 0.85Ω
Applications :
Power Supply
HID
Lighting
800V N-Channel MOSFET •开启延迟时间:35ns •关断延迟时间:50ns •工作温度范围:-55 to 150°C •封装:TO-220F •针脚数:3 •耗散功率:56W "
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 25A, 15m,MDD1655适用于:PWM,通用应用等 •导通电阻:R DS(ON)< 15mΩ @VGS = 10V< 23mΩ @VGS = 4.5V•开启延迟时间:5.1ns•关断延迟时间: 33.1ns•工作温度范围:-55 to 150°C "