价 格: | 1.00 | |
品牌: | IR/国际整流器 | |
型号: | IRF510PBF IRF510 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 10(V) | |
跨导: | 20(μS) | |
极间电容: | 180(pF) | |
低频噪声系数: | 10(dB) | |
漏极电流: | 5.6(mA) | |
耗散功率: | 43(mW) |
dzsc/19/0065/19006507.jpg
1,000 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
- |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
100V |
5.6A |
540 毫欧 @ 3.4A, 10V |
4V @ 250µA |
8.3nC @ 10V |
180pF @ 25V |
43W |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
管件 |
深圳科顺龙电子 |
*IRF510PBF |
dzsc/19/0077/19007767.jpgdzsc/19/0077/19007767.jpg数据列表 IRF740PBF 产品相片 TO-220AB PKG 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 550 毫欧 @ 6A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1400pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1528 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRF740PBF顺龙电子商行主要经销的产品有:精密电位器,场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。优势品牌热卖:BOURNS(邦士精密电位器)IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)MICROCHIP(微芯MUC全系列)。热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,...
产品详情: 欧姆龙继电器G4A-1A-PE-12VDC,原装新货.(深圳科顺龙电子)长期特价现货供应,欢迎咨询.dzsc/19/0251/19025157.jpgdzsc/19/0251/19025157.jpgdzsc/19/0251/19025157.jpg产品说明: 全新原装 ROSH认证(环保)品 牌 : 欧姆龙类 型 : 信号继电器系 列 : G4A系列型 号 :G4A-1A-PE-12VDC外形尺寸(mm): 30.5×16×23.5mm(L×W×H)重 量 :23g触点参数:触点形式: 1A(SPDT)触点负载: 20A/125 VAC, 20A/30 VDC阻 抗: ≤100mΩ额定电流: 20A电气寿命:≥20万回机械寿命:≥200万回线圈参数:阻值(士10%):160Ω线圈功耗:900mW额定电压:DC 12V吸合电压:DC 8.4 V释放电压:DC 1.2V工作温度:-25℃~ 60℃绝缘电阻:≥1000MΩ线圈与触点间耐压:4500VAC/1分钟触点与触点间耐压:1000VAC/1分钟G4A系列:G4A-1A-DC12V、G4A-1A-DC24V。