价 格: | 0.10 | |
品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
型号: | GT30J322 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MW/微波 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | =(V) | |
夹断电压: | =(V) | |
跨导: | =(μS) | |
极间电容: | =(pF) | |
低频噪声系数: | =(dB) | |
漏极电流: | =(mA) | |
耗散功率: | =(mW) |
属性 | 值 | 条件 |
部件型号 | GT30J322 | |
电路数 | 2 | |
内装二极管 | Y | |
击穿电压VCES | 600 V | |
集电极电流IC | 30 A | |
封装 | TO-3P(N)IS | |
管脚数 | 3 | |
表面安装型 | N | |
产品分类 | 软开关用IGBT | |
RoHS Compatible Product(s) (#) | Available |
属性值条件部件型号TK16A45D 极性N沟 漏源电压VDSS450 V 漏电流ID16 A 漏功耗PD50 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)40 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.27 Ω 封装TO-220SIS 管脚数3 用途开关调整器 产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 装配基础日本, 马来西亚 RoHS Compatible Product(s) (#)Available
部件型号2SK3075 极性N沟 用途人员用收音机(520MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C30 V 泄漏电流ID@Tc=25°C5 A 功耗PD@Tc=25°C, max20 W 输出功率PO(最小)7.5WVDD= 9.6 V, f = 520 MHz, Pi = 0.5 W, Tc=25°C封装PW-X 管脚数3 产品分类RF功率MOSFET