供应英飞凌COOLMOS管 SPP06N80C3
| 价 格： | 3.50 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | SPP06N80C3 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2.1-3.9（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 漏极电流： | 6A（mA） | |
| 耗散功率： | 83W（mW） |
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 通孔式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 800V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 900毫歐姆@ 3.8A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 785pF @ 25V
功率 - 83W
封裝 管裝
閘電流(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220AB
閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
"- 所属城市：广东 深圳
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【华强实体店供应】贴片场效应三极管 IRLR3715/LR3715
信息内容：類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 20V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 49A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 11毫歐姆@ 15A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 810pF @ 10V功率 - 40W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓（Vgs） 20V"
【华强实体店供应】直插高压场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C/8N60
信息内容：MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F 电流特性曲线(X:500mV; Y:500mA;VGS:1V)因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。 dzsc/19/0050/19005083.jpg耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA): dzsc/19/0050/19005083.jpg 应用案例： 1、LED 日光灯驱动电源 （T8以上内置电源）:dzsc/19/0050/19005083.jpgdzsc/19/0050/19005083.jpg 2、电源适配器：dzsc/19/0050/19005083.jpgdzsc/19/0050/19005083.jpgdzsc/19/0050/19005083.jpg描述：dzsc/19/0050/19005083.jpg dzsc/19/0050/19005083.jpg dzsc/19/0050/19005083.jpgdzsc/19/0050/19005083.jpg 描述晶体管极性:N漏极电流, Id 值:7.5A电压, Vds :600V开态电阻, Rds(on):1.2ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :30V功耗:48W工作温度范围:-55°C to 150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)功率, Pd:48W封装类型:TO-220F晶体管数:1晶体管类型:MOSFET电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电流, Id 连续:7.5A电流, Idm 脉冲:30A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th 典型值:4V
