价 格: | 0.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRLR3715 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 表面黏著式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 49A
開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 11毫歐姆@ 15A,10V
輸入電容(Ciss)@Vds 810pF @ 10V
功率 - 40W
封裝 編帶和捲軸封裝(TR)
閘電流(Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V
封裝/外殼 DPak (TO-252)
閘極至源極的電壓(Vgs) 20V
"MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F 电流特性曲线(X:500mV; Y:500mA;VGS:1V)因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因,测得的读数偏大。 dzsc/19/0050/19005083.jpg耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA): dzsc/19/0050/19005083.jpg 应用案例: 1、LED 日光灯驱动电源 (T8以上内置电源):dzsc/19/0050/19005083.jpgdzsc/19/0050/19005083.jpg 2、电源适配器:dzsc/19/0050/19005083.jpgdzsc/19/0050/19005083.jpgdzsc/19/0050/19005083.jpg描述:dzsc/19/0050/19005083.jpg dzsc/19/0050/19005083.jpg dzsc/19/0050/19005083.jpgdzsc/19/0050/19005083.jpg 描述晶体管极性:N漏极电流, Id 值:7.5A电压, Vds :600V开态电阻, Rds(on):1.2ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :30V功耗:48W工作温度范围:-55°C to 150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)功率, Pd:48W封装类型:TO-220F晶体管数:1晶体管类型:MOSFET电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电流, Id 连续:7.5A电流, Idm 脉冲:30A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th 典型值:4V
類別 離散半導體產品家庭 電晶體(BJT) - 單路電晶體類型 NPN額定電壓 60V額定電流 3A封裝/外殼 TO-220F封裝 管裝"