场效应管 SUB70N03-09P / SUB70N03-09 / SUB70N03 / 70N03
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | Vishay Siliconix | |
| 型号/规格： | SUB70N03-09P | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2（V） | |
| 极间电容： | 2700（pF） | |
| 漏极电流： | 70,000（mA） | |
| 耗散功率： | -（mW） |
SUB70N03-09P中文资料：
制造商 | Vishay Siliconix |
制造商零件编号 | SUB70N03-09P |
描述 | MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | - |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 9毫欧@ 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id) @ 25° C | 70A |
Id时的Vgs(th)（） | 2V @ 250mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC |
在Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
功率- | 93cW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷(TR) |
公司照片：
dzsc/19/0034/19003449.jpg
dzsc/19/0034/19003449.jpg
dzsc/19/0034/19003449.jpg
dzsc/19/0034/19003449.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
SUB70N03-09P订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）
商务QQ：120279071
MSN： jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 IRLR3303 / IRLR3303TRRPBF / LR3303 / IRLR3303
信息内容：IRLR3303中文资料： 制造商International Rectifier制造商零件编号IRLR3303TRRPBF描述MOSFET N-CH 30V 35A DPAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C31毫欧 @ 21A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35AId时的 Vgs(th)（）1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)870pF @ 25V功率 - 68W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)公司照片：dzsc/19/0046/19004635.jpgdzsc/19/0046/19004635.jpgdzsc/19/0046/19004635.jpgdzsc/19/0046/19004635.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRLR3303订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
场效应管 IPB10N03L / 10N03
信息内容：IPB10N03LB中文资料: 制造商Infineon Technologies制造商零件编号IPB10N03LB描述MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列OptiMOS™FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9.6毫欧 @ 50A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50AId时的 Vgs(th)（）2V @ 20µA闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1639pF @ 15V功率 - 58W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-4, D²Pak (3引线 接片), TO-263AA供应商设备封装PG-TO263-3包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/19/0048/19004859.jpgdzsc/19/0048/19004859.jpgdzsc/19/0048/19004859.jpgdzsc/19/0048/19004859.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线）； 商务QQ：120279071 MSN：jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机：13590258862/13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/ "
