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场效应管 IPB10N03L / 10N03

价 格: 面议
品牌/商标:INFINEON/英飞凌
型号/规格:IPB10N03LB
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2(V)
极间电容:1639(pF)
漏极电流:50,000(mA)
耗散功率:58,000(mW)

IPB10N03LB中文资料:

 

制造商

Infineon Technologies

制造商零件编号

IPB10N03LB

描述

MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

OptiMOS™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

9.6毫欧 @ 50A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

50A

Id时的 Vgs(th)()

2V @ 20µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

13nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1639pF @ 15V

功率 -

58W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-4, D²Pak (3引线 接片), TO-263AA

供应商设备封装

PG-TO263-3

包装

带卷 (TR)

 

公司照片:

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订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

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  • 所属城市:广东 深圳
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MOS管 场效应管 IRFR3711Z / IRFR3711 / FR3711Z / FR3711

信息内容:

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场效应管 STD25NF10 / STD25NF10T4 / D25NF10 / D25NF / 2

信息内容:

STD25NF10中文资料: 制造商STMicroelectronics制造商零件编号STD25NF10T4描述MOSFET N-CH 100V 25A DPAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列STripFET™FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C38毫欧 @ 12.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25AId时的 Vgs(th)()4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1550pF @ 25V功率 - 100W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)公司照片:dzsc/19/0298/19029889.jpgdzsc/19/0298/19029889.jpgdzsc/19/0298/19029889.jpgdzsc/19/0298/19029889.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 STD25NF10订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/

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