价 格: | 11.00 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | BUX48A | |
应用范围: | 开关 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
结构: | 平面型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 金属封装 |
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数据列表2N3773, 2N6609产品相片TO-3 Pkg产品目录绘图Transistor TO-3 Pkg标准包装100类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()16A电压 - 集电极发射极击穿()140VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1.4V @ 800mA, 8A电流 - 集电极截止()10mA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)15 @ 8A, 4V功率 - 150W频率 - 转换-安装类型通孔封装/外壳TO-204AA, TO-3供应商设备封装TO-3包装托盘产品目录页面1559 (CN2011-ZH PDF)其它名称2N3773GOSdzsc/19/0045/19004593.jpg"
数据列表IRF830PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 2.7A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds610pF @ 25V功率 - 74W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1528 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRF830PBF "