价 格: | 3.50 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | 2N3773 | |
应用范围: | 开关 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
结构: | 平面型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 金属封装 |
2N3773, 2N6609 |
TO-3 Pkg |
Transistor TO-3 Pkg |
100 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路 |
- |
NPN |
16A |
140V |
1.4V @ 800mA, 8A |
10mA |
15 @ 8A, 4V |
150W |
- |
通孔 |
TO-204AA, TO-3 |
TO-3 |
托盘 |
1559 (CN2011-ZH PDF) |
2N3773GOS |
dzsc/19/0045/19004593.jpg
数据列表IRF830PBFPackaging Information产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 2.7A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds610pF @ 25V功率 - 74W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1528 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRF830PBF "
数据列表IRF3205产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C110A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 62A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs146nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3247pF @ 25V功率 - 200W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRF3205PBF经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量dzsc/19/0055/19005544.jpg