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场效应管 IRFS59N10D / IRFS59N10DTRRP / FS59N10D

价 格: 面议
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFS59N10D
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:5.5(V)
极间电容:2450(pF)
漏极电流:59,000(mA)
耗散功率:3,800(mW)

IRFS59N10D中文资料:

制造商

International Rectifier

制造商零件编号

IRFS59N10DTRRP

描述

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

25毫欧 @ 35.4A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

100V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

59A

Id时的 Vgs(th)()

5.5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

114nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

2450pF @ 25V

功率 -

3.8W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)

 


公司照片:

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备注:

 

1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。

 

2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。

 

 

 

 

 

IRFS59N10D订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

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深圳市福田区丰尔电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 杨金海
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场效应管 SUB70N03-09P / SUB70N03-09 / SUB70N03 / 70N03

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