价 格: | 0.85 | |
品牌: | Wisdom | |
型号: | WFD1N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 0.1(V) | |
夹断电压: | 0.1(V) | |
低频跨导: | 0.1(μS) | |
极间电容: | 0.1(pF) | |
低频噪声系数: | 0.1(dB) | |
漏极电流: | 0.1(mA) | |
耗散功率: | 0.1(mW) |
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WFD1N60 TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 1A,600V,RDS(on)=12Ω@VGS=10V
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∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
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