让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>供应场效应管WFB6N70

供应场效应管WFB6N70

价 格: 4.40
品牌/商标:Wisdom
型号/规格:WFB6N70
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
低频噪声系数:0.1
低频跨导:0.1
漏极电流:0.1

韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理

现货长期供应全新场效应管场效应管HX1N60  TO-251 TO-252,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电

WFP6N70 TO-220   N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

∗ 6A,700V,RDS(on)=1.6Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快

dzsc/19/0026/19002617.jpg

WFP6N70 TO-220  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

∗ 6A,700V,RDS(on)=1.6Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快

蒋德平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 蒋德平
  • 电话:0755-89516539
  • 传真:0755-89516539
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

供应场效应管WFP830

信息内容:

韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货长期供应全新场效应管场效应管WFP830,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电WFP830 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 5A,500V,RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快dzsc/19/0043/19004308.jpgWFP830 TO-22O N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 5A,500V,RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快

详细内容>>

供应场效应管HX1N60 TO-92 质量保证.

信息内容:

现货长期供应全新场效应管HX1N60 TO-92质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电HX1N60 TO-92 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 1A,600V,RDS(on)=11.5Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630dzsc/19/0045/19004568.jpg"

详细内容>>

相关产品