仙童IGBT单管场效应管 FGH40N60 FGH40N60SFD现货
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FGH40N60 FGH40N60SFD | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MW/微波 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
仙童IGBT单管场效应管 FGH40N60 FGH40N60SFD
仙童IGBT单管场效应管 FGH40N60 FGH40N60SFD
FGH40N60 FGH40N60SFD产品规格 参数
数据列表 FGH40N60SFD
产品相片 FGH40N60UFTU
FGH40N60SMDF
产品目录绘图 IGBT TO-247 Package
标准包装 150
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 场截止
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 2.9V @ 15V, 40A
电流 - 集电极 (Ic)（） 80A
功率 - 290W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247
包装 管件
产品目录页面 1610 (CN2011-ZH PDF)
300/盒，30/管
- 所属城市：广东 深圳
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【INFINEON英飞凌原装进口场效应管】BSC030N03LSG BSC032N03SG
信息内容：【INFINEON英飞凌原装进口场效应管】BSC030N03LSG BSC032N03SG 【INFINEON英飞凌原装进口场效应管】BSC030N03LSG BSC032N03SG BSC032N03SG产品规格 参数 PDF Datasheets BSC032N03S GProduct Photos BSC032N03SGCatalog Drawings Mosfets SUPERSO8Standard Package 5,000Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries OptiMOS™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss) 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100ARds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 50A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µAGate Charge (Qg) @ Vgs 39nC @ 5VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 5080pF @ 15VPower - Max 78WMounting Type Surface MountPackage / Case 8-PowerTDFNSupplier Device Package PG-TDSON-8 (5.15x6.15)Packaging Tape & Reel (TR)Other Names BSC032N03SGINTRBSC032N03SGXTBSC032N03SGXTINTRBSC032N03SGXTINTR-NDSP000056190
FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FQP8N60C 8N60C 8N60
信息内容：FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FQP8N60C 8N60C 8N60 FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FQP8N60C 8N60C 8N60 FQP8N60C 8N60C 8N60产品规格 参数 Datasheets FQP8N60C, FQPF8N60CProduct Photos TO-220-3 PkgProduct Training Modules High Voltage Switches for Power ProcessingProduct Change Notification Design/Process Change Notification 26/June/2007Standard Package 50Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries QFET™FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.5ARds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 1255pF @ 25VPower - Max 147WMounting Type Through HolePackage / Case TO-220-3Supplier Device Package TO-220Packaging Tube
