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FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FQP8N60C 8N60C 8N60

价 格: 面议
品牌:FAIRCHILD/仙童
型号:FQP8N60C 8N60C 8N60
种类:结型(JFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MIX/混频
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:HEMT高电子迁移率
开启电压:33(V)
夹断电压:33(V)
跨导:33(μS)
极间电容:33(pF)
低频噪声系数:33(dB)
漏极电流:33(mA)
耗散功率:33(mW)

FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FQP8N60C  8N60C  8N60

 

FAIRCHILD仙童进口原装场效应管 FQP8N60C  8N60C  8N60

 

FQP8N60C  8N60C  8N60产品规格  参数

 

Datasheets FQP8N60C, FQPF8N60C
Product Photos TO-220-3 Pkg
Product Training Modules High Voltage Switches for Power Processing
Product Change Notification Design/Process Change Notification 26/June/2007
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1255pF @ 25V
Power - Max 147W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 陈义伟
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