场效应管 BTS114 / BTS114A
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | BTS114 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 3.5（V） | |
| 极间电容： | 600（pF） | |
| 漏极电流： | 17,000（mA） | |
| 耗散功率： | 50,000（mW） |
BTS114中文资料：
制造商 | Infineon Technologies |
制造商零件编号 | BTS114 |
描述 | MOSFET N-CH 50V 17A TO-263 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | TEMPFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 100毫欧 @ 9A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 17A |
Id时的 Vgs(th)（） | 3.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 25V |
功率 - | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
dzsc/19/0014/19001486.jpg
dzsc/19/0014/19001486.jpg
dzsc/19/0014/19001486.jpg
dzsc/19/0014/19001486.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
BTS114订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）
商务QQ：120279071
MSN： jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 IRFBF20S / IRFBF20STRLPBF / FBF20S
信息内容：IRFBF20S中文资料：制造商International Rectifier制造商零件编号IRFBF20STRLPBF描述MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列-FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C8欧姆 @ 1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)900V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.7AId时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)490pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/19/0018/19001820.jpgdzsc/19/0018/19001820.jpgdzsc/19/0018/19001820.jpgdzsc/19/0018/19001820.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRFBF20S订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
场效应管 IRFS59N10D / IRFS59N10DTRRP / FS59N10D
信息内容：IRFS59N10D中文资料：制造商International Rectifier制造商零件编号IRFS59N10DTRRP描述MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C25毫欧 @ 35.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C59AId时的 Vgs(th)（）5.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs114nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2450pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/19/0020/19002061.jpgdzsc/19/0020/19002061.jpgdzsc/19/0020/19002061.jpgdzsc/19/0020/19002061.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRFS59N10D订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
